Op 2024/11/1 153

2N2907A Transistor legde uit

Ontdek hoe de 2N2907A-transistor kan worden gebruikt voor betrouwbare, laagverzamelde en schakelen in alledaagse circuits.Deze gids verbreekt de functies, het gebruik en de praktische details om u te helpen het meeste uit deze veelzijdige component te halen.

Catalogus

Overzicht van 2N2907A -transistor

De 2N2907A is een PNP -bipolaire junctie -transistor die is ontworpen met veelzijdigheid in gedachten, vaak gekozen voor lage tot middelgrote toepassingen.Het wordt geleverd in een tot-18 metaal kan pakket, dat duurzaamheid en betrouwbaarheid biedt.Er zijn ook variaties, zoals de plastic TO-92-versie, die opties mogelijk maken, afhankelijk van uw behoeften.De "A" -versie, 2N2907A, heeft kleine verbeteringen ten opzichte van de standaard 2N2907, waardoor het een populaire keuze is in circuits waar consistente, matige versterking nodig is.

Deze transistor werkt goed in versterking en schakelcircuits, met gemak met matige spanningen en stromen.Het ontwerp maakt het geschikt voor gebruik in algemene elektronische projecten en in gespecialiseerde velden zoals RF (radiofrequentie) -toepassingen.Met zijn betrouwbare schakelsnelheden en het vermogen om verschillende circuitvereisten te verwerken, valt de 2N2907A -transistor op als een betrouwbare component voor zowel hobbyisten als professionals.

2N2907A PIN -configuratie

PIN Nr.	Speldnaam	Beschrijving
1	Emitter	Huidige draineert door emitter
2	Baseren	Regelt de voorkeur van transistor
3	Verzamelaar	Stroom stroomt door via collector

2N2907A CAD -model

2N2907A -symbool

2N2907A voetafdruk

2N2907A 3D -model

Technische specificaties voor 2N2907A

Technische specificaties, functies, kenmerken en componenten met vergelijkbare specificaties van STMicroelectronics 2N2907A.

Type	Parameter
Inzetten	Door gat
Montagetype	Door gat
Pakket / kast	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN
Aantal pinnen	3
Gewicht	4.535924G
Transistorelementmateriaal	SILICIUM
Breakdown-spanning van de collector-emitter	60V
Aantal elementen	1
hfemin	50
Bedrijfstemperatuur	175 ° C TJ
Verpakking	Bulk
JESD-609 Code	E3
PBFree -code	Ja
Onderdeelstatus	Verouderd
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)	1 (onbeperkt)
Aantal beëindigingen	3
ECCN -code	EAR99
Eindafwerking	Mat tin (sn)
Spanning - beoordeelde DC	-60v
Max Power Dissipation	400 MW
Eindpositie	ONDERKANT
Eindvorm	DRAAD
Huidige beoordeling	-600MA
Frequentie	200 MHz
Basisonderdeelnummer	2N29
Telling	3
Referentiestandaard	CECC
Spanning	60V
Elementconfiguratie	Enkel
Power Dissipation	400 MW
Transistortoepassing	Schakel
GAON BANDBIDTH PRODUCT	200 MHz
Polariteit/kanaaltype	PNP
Transistortype	PNP
Collector emitter spanning (VCEO)	60V
Max Collector Stroom	600 mA
DC Current Gain (HFE) (min) @ IC, VCE	100 @ 150ma 10V
Current - Collector Cutoff (Max)	10na icbo
VCE verzadiging (max) @ ib, ic	1.6V @ 50MA, 500MA
Overgangsfrequentie	200 MHz
Collector Base Voltage (VCBO)	60V
Emitter basisspanning (vebo)	5V
Schakel Time-max in (ton) in	45ns
Collector-base capaciteitsmax	8pf
Diameter	5,8 mm
Hoogte	5,3 mm
Lengte	5,8 mm
Breedte	5,8 mm
Bereik SVHC	Geen SVHC
Stralingsharding	Nee
ROHS -status	ROHS3 -compatibel
Leid gratis	Leid gratis

Functies en attributen van 2N2907A

Hermetisch afgesloten naar 18 metaal kan

De 2N2907A is verpakt in een tot-18 metaalblik, dat verbeterde bescherming biedt tegen vocht en milieukleding.Dit ontwerp maakt de transistor duurzamer en zorgt ervoor dat het goed presteert in verschillende omstandigheden.

Chip -configuratieoptie

Samen met het metaalblikpakket is de 2N2907A ook beschikbaar als een chipconfiguratie en biedt flexibiliteit op basis van uw ontwerp- of applicatiebehoeften.Met deze keuze kunt u het beste formaat selecteren voor het gebruik van de transistor in uw specifieke circuit.

Maximale collectorstroom (IC): 600MA

Deze transistor kan een verzamelstroom tot 600 mA aan, waardoor het de capaciteit heeft om een ​​reeks circuits te ondersteunen.Of het nu wordt gebruikt bij het schakelen of versterking, deze huidige beoordeling biedt solide prestaties zonder overmatige warmtebouw.

Maximale collector -emitterspanning (VCE): -60V

Met een collector-emitterspanning van maximaal -60V is de 2N2907A geschikt voor medium-voltage-toepassingen en biedt het een veilige behandeling van spanningsvereisten in de meeste elektronische projecten.

Maximale collector -basisspanning (VCB): -60V

De collector -basisspanning wordt ook beoordeeld op -60V, waardoor de veelzijdigheid van de transistor wordt verbeterd.Deze functie zorgt voor betrouwbare werking over verschillende circuitomstandigheden waar matige spanningsverwerking nodig is.

Maximale emitter -basisspanning (VBE): -5V

De 2N2907A ondersteunt een emitter -base -spanning van -5V, die stabiliteit biedt in toepassingen die lagere spanningen vereisen, waardoor het geschikt is voor diverse elektrische omgevingen.

Maximale collector -dissipatie (PC): 400 Milliwatt

Met een maximale collector -dissipatie van 400 MW kan deze transistor effectief omgaan, wat met name nuttig is in circuits met matige stroomvereisten.Het zorgt voor langetermijnfunctionaliteit zonder oververhitting.

Maximale overgangsfrequentie (FT): 200 MHz

De overgangsfrequentie van de transistor van 200 MHz maakt het geschikt voor snelschakelen en signaalversterkingstaken, waardoor efficiënte werking in RF en andere hoogfrequente toepassingen mogelijk is.

Minimale en maximale DC -stroomversterking (HFE): 100 tot 300

Het DC -stroomversterkingsbereik van 100 tot 300 biedt flexibiliteit in circuitontwerp, ter ondersteuning van verschillende niveaus van versterking en het aanpassen aan verschillende versterkingsbehoeften.

Bedrijfstemperatuurbereik: -65 tot 200 ° C

Met een bedrijfstemperatuurbereik van -65 tot 200 ° C is de 2N2907A gebouwd om betrouwbaar in extreme omstandigheden te functioneren, waardoor het geschikt is voor zowel dagelijkse als gespecialiseerde toepassingen.

Toepassingen voor 2N2907A -transistor

DC/DC -converters

De 2N2907A presteert goed in DC/DC -converters, waardoor het ene spanningsniveau efficiënt wordt omgezet in het andere.Het vermogen om matige stromen te verwerken, maakt het een goede keuze voor circuits die een stabiele spanningsconversie vereisen.

Microgolftoepassingen

In magnetroncircuits ondersteunen de snelle schakelmogelijkheden van de 2N2907A de behandeling van hoogfrequente signalen.Deze functie maakt het ideaal voor amplificatie- en signaalmodulatietaken in magnetrontechnologie.

Audioterking

Deze transistor wordt vaak gebruikt in audiocircuits en biedt betrouwbare versterking van audiosignalen.De gestage versterking zorgt voor een duidelijke geluidskwaliteit, waardoor het geschikt is voor audiotoepassingen die consistente signaalsterkte vereisen.

Audio -voorversterking

Naast algemene versterking wordt de 2N2907A vaak gebruikt voor voorversterking, waardoor audiosignalen op laag niveau worden gestimuleerd.Het is ideaal voor toepassingen waar signalen moeten worden versterkt vóór verdere verwerking.

Algemene signaalversterking

De 2N2907A werkt effectief in verschillende signaalamplificatie -rollen, waardoor het nuttig is in zowel analoge als digitale circuits waar matige signaalboost nodig is om de circuitprestaties te verbeteren.

Schakeltoepassingen

Als PNP -transistor kan de 2N2907A worden gebruikt als een efficiënte schakelaar, waardoor circuits indien nodig in- en uitschakelen.Deze functie is vooral waardevol in toepassingen met lage kracht waar snel schakelen vereist is.

RF -toepassingen

De hoge overgangsfrequentie van de 2N2907A maakt het ideaal voor RF-toepassingen, ter ondersteuning van duidelijke signaaloverdracht en betrouwbare versterking bij radiofrequenties, waardoor het effectief kan worden behandeld.

Alternatieve opties voor 2N2907A

• 2N2222A

• KSP2907A

• KTN2907A

• MPS2907A

Afmetingen van 2N2907A

Fabrikantinformatie voor 2N2907A

STMICROECTRONICS, de fabrikant van de 2N2907A, is goed gewaardeerd in de halfgeleiderwereld.Bekend om het combineren van siliciuminnovatie met geavanceerd ontwerp, produceert STMicroelectronics een breed scala aan elektronische componenten die toepassingen ondersteunen van dagelijkse elektronica tot gespecialiseerde industriële systemen.Met een focus op kwaliteit en duurzaamheid zijn hun producten, net als de 2N2907A, ontworpen om te voldoen aan verschillende marktbehoeften.

Hun uitgebreide bereik omvat oplossingen voor energiebeheer, microcontrollers en RF -technologieën.Door een mix van technologie -expertise en samenwerkingen met verschillende industrieën speelt STMicroelectronics een cruciale rol bij het mogelijk maken van apparaten en systemen op vele gebieden.Deze toewijding aan betrouwbare en duurzame oplossingen zorgt ervoor dat componenten zoals de 2N2907A een reeks gebruik kunnen ondersteunen met behoud van kwaliteit en prestaties.

Vergelijkbare producten met vergelijkbare specificaties

Onderdeelnummer	Fabrikant	Inzetten	Pakket / kast	Collector emitter afbraakspanning	Max Collector Stroom	Max Power Dissipation	Power Dissipation	Stralingsharding
2N2907A	Stmicro -elektronica	Door gat	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN	60 V	600 ma	400 MW	400 MW	Nee
Jan2n2907a	Microsemi Corporation	Door gat	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN	60 V	600 ma	500 MW	500 MW	Nee
2N2907A	Microsemi/op halfgeleider	Door gat	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN	60 V	600 ma	500 MW	500 MW	Nee
Jantxv2n2907a	Microsemi Corporation	Door gat	TO-18	-	600 ma	500 MW	500 MW	Nee