2N3906 Transistor uitgebreide gids-pins configuraties, applicatiescenario's en equivalenten, en hoe te testen

De 2N3906 Transistor staat bekend om zijn PNP-bipolaire junctie-configuratie.Het wordt vaak gebruikt in toepassingen die lage stroom en vermogen vereisen, samen met matige spanningsniveaus, zoals scenario's met lage vermogensschakelen en versterking.Het is ontworpen voor bewerkingen die een laag stroomverbruik en huidige specificaties binnen een matig spanningsbereik vereisen met behoud van snelle prestatienormen.Dit apparaat is verpakt in een TO-92-behuizing met een plastic lichaamsstructuur.Het heeft een maximaal nominale bedrijfsstroom van 200 mA, spanning van 40V en vermogenscapaciteit van 625 MW.De collectorstroom van de 2N3906 varieert van 10 μA tot 100 ma, die zich aanpast aan een breed scala aan stroomwinsten van minimaal tot substantieel.

• - complementair aan de 2N3904/MMBT3904 bipolaire transistors
• - Collector-Emitter-spanning (VCE): 40V
• - emitter-basisspanning (VBE): 5V
• - Continu Collector Current (IC): 200MA
• - Bedrijfstemperatuurbereik: -55 tot 150 ° C
• - Basisstroom (IB): maximaal 5 mA
• - DC Current Gain (HFE): 60
• - ingesloten in een TO-92-pakket
• - Collector-basespanning (VCB): 40V
• - Leadvrije pakketopties beschikbaar
• - Verzadigingsspanning van collector-emitter: 0,25 V
• - Maximale vermogensdissipatie: 250 MW

De 2N3906 is een veelgebruikte PNP-transistor, meestal gebruikt voor het schakelen en versterken van hoge snelheid.Het werkt in drie modi:

Actieve regio: Hier fungeert de 2N3906 als een versterker.De emitter-base junction is voorwaartse vooringenomenheid waardoor de stroom van de emitter naar de basis kan stromen, terwijl de collector-base-junctie omgekeerd is, wat de stroomblokkering blokkeert en dus het signaal door de transistor versterkt.

Verzadigingsregio: In deze toestand fungeert de transistor als een gesloten schakelaar.Zowel de emitter-base als de verzamelbladen van de collector zijn naar voren gebaseerd.Deze opstelling duwt de emitter-base-spanning boven 5 volt, schakelt in wezen de stroom uit en maakt de transistor niet-geleidend.

Cutoff regio: Hier fungeert de transistor als een open schakelaar.Beide knooppunten zijn omgekeerd, met de emitter-base-spanning minder dan 5 volt, waardoor de transistor volledig geleidend is.Meestal is de basis rechtstreeks verbonden met de grond voor het gemak van deze configuratie.

• - Hoge naar lage stroombelasting schakelen
• - Omvormers en convertercircuits
• - Darlington Pair Circuits
• - Alarmsystemen of dubbele LED -instellingen
• - Circuits met lage kracht
• - Flash -eenheden
• - Snelle schakeltoepassingen
• - Algemene purpose audioversterkers
• - Geschikt voor belastingen met piekspanningen tot 40V

In het bovenstaande diagram, wanneer de schakelaar is gesloten, zal de LED zijn ingeschakeld, wat betekent dat beide knooppunten naar voren zullen worden bevooroordeeld en de stroom van de emitter naar de collector zal stromen, en vervolgens zal de LED fel licht uitstoten.Evenzo, wanneer de schakelaar open is, zullen beide knooppunten omgekeerd zijn en geen stroom zal van de emitter naar de collector stromen, dus de LED is uitgeschakeld.Een weerstand van 10 kΩ wordt in serie geplaatst met de basis om de basisstroom te beperken.

• - multimeter
• - DC Power Source
• - Weerstanden met bekende weerstandswaarden
• - Draws aansluiten

Configureer uw multimeter naar de diodetestmodus om de semiconductor -functionaliteit te controleren.Sluit ook de DC -voeding aan op geschikte contacten om de nodige spanning voor testen te bieden.

Plaats de 2N3906 -transistor correct in een breadboard of test socket, zorg voor een correcte oriëntatie en stevige plaatsing en sluit de draden van de DC -voeding aan op overeenkomstige transistorpennen (emitter, basis, collector).

Gebruik de multimeter om de spanning en weerstand over verschillende terminals van de transistor te meten.

Vergelijk uw verkregen waarden met verwachte normen om te evalueren of de metingen aansluiten bij de specificaties van de 2N3906 -transistor.Afwijkingen kunnen wijzen op potentiële defecten of storingen binnen de transistor.

Testen op bipolaire apparaten zoals de 2N3906 is gebaseerd op hun structuur, bestaande uit twee halfgeleiderverbindingen die een gemeenschappelijke terminal delen (basis), vergelijkbaar met een paar diodes.Voor PNP -transistoren (zoals de 2N3906) verbinden de kathoden van deze equivalente diodes met de basis.Als beide gesimuleerde diodes normaal gedrag vertonen, wordt de transistor beschouwd als correct functioneren.

• - Vermijd de werking van transistoren onder omstandigheden van meer dan 20V of 700MA om schade te voorkomen.
• - Gebruik basisweerstanden van geschikte waarden om de basisstroom binnen veilige limieten te houden die zijn opgegeven in datasheets of referentiematerialen.
• - Stel transistoren niet bloot aan temperaturen boven 150 ° C om thermische schade te voorkomen.

De BC557 -transistor is vergelijkbaar met de 2N3906 en deelt belangrijke kenmerken die geschikt zijn voor verschillende toepassingen.De 2N3906 staat bekend om zijn spanning met hoge collector-emitter (VCE), waardoor het tijdens de werking efficiënt kan omgaan met hogere spanningen.Belangrijke verschillen en operationele inzichten zijn:

De 2N3906 kan een hoge spanning over de collector en emitterterminals behouden, vaak cruciaal in circuits die een hoogspanningsafhandeling vereisen.

De versterking (β) van de 2N3906 is ongeveer 300, wat aangeeft dat het vermogen van de transistor om inputsignalen te versterken.Een winst van 300 is echter mogelijk niet voldoende voor krachtige versterkingscircuits, die hogere bètawaarden vereisen voor de gewenste versterking.

Vanwege de winstbeperkingen is de 2N3906 misschien niet de beste keuze voor hoogkrachtige versterkingstaken, omdat meer krachtige versterking nodig is om grote uitgangen effectief te stimuleren.

Equivalenten/vervangers voor de 2N3906

2N4403,, MPSA13,, MPSA92, MPSA55, ZTX555

Klik hier om de STMicro-Electronics 2N3906 PDF-DATASHEET te downloaden: STMICROElectronics 2N3906

Beide zijn bipolaire transistoren, waarbij 3904 NPN zijn en 3906 PNP zijn, wat verschillende schematische symbolen en polariteitsfuncties aangeeft.

De maximale basisstroom is 5 mA met een collectorbasisspanning van 40V.

PNP -transistoren worden ingeschakeld door een laag signaal, terwijl NPN -transistoren ingeschakeld worden door een hoog signaal.De 'P' in PNP geeft de polariteit (positief) aan bij de emitter en de 'N' in NPN geeft de polariteit (negatief) aan de basis aan.